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Optoelectronic Components
 
  Carbure de silicium (SiC)
Carbure de silicium (SiC)

Les caractéristiques électroniques, mécaniques et thermiques exceptionnelles du carbure de silicium (SiC) en font un matériau idéal pour les appareils électroniques devant fonctionner
à des températures élevées (supérieures à 400°C)
et à des puissances élevées, dans un régime de fonctionnement incompatible avec les propriétés de l'arséniure de gallium ou du silicium. Le SiC présente des avantages essentiels
face à d’autres technologies actuelles de
composants électroniques, dont une densité de puissance plus élevée, une meilleure dissipation thermique, et une capacité de bande passante accrue. Les substrats
et composants en SiC sont actuellement utilisés dans les diodes électroluminescentes (LED), les applications à haute fréquence et haute puissance, ainsi que dans des
environnements exposés à des radiations importantes.
Nous proposons les polytypes 6H et 4H SiC pour répondre aux besoins en matière de semi-conducteurs ou de semi-isolants :

  • Wafers de 50 mm de diamètre
  • Wafers de 75 mm de diamètre
  • Wafers de 100 mm de diamètre

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
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