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Optoelectronic Components
 
  Siliziumkarbid (SiC)
Siliziumkarbid (SiC)

Die einzigartige Elektronik und die mechanischen und thermischen Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC) machen es zum idealen Material für elektronische Geräte die bei hohen Temperaturen (über 400° C) und hoher Leistung eingesetzt werden, weit über die Einsatzmöglichkeit von Silizium und Gallium-Arsenid hinaus. SiC bietet speziell im Bereich der aktuellen Technologie für elektronische Komponenten hervorragende Vorteile wie hohe Leistungsdichte, bessere Wärmeableitung und eine erhöhte Leistungs-Bandbreite.
SiC-Baugruppen und -Substrate werden aktuell genutzt in Leuchtdioden, Hochleistungs- und Hochfrequenz-Geräten, sowie in Umgebungen mit Hochenergiestrahlung.

Wir bieten sowohl 6H als auch 4H SiC Polytypes für halbleitende und halbisolierende Anforderungen:

  • Halbleiterplättchen mit 76.2 mm (3“) Durchmesser
  • Halbleiterplättchen mit 100 mm Durchmesser (Spezifikationen)
  • Wafer mit 150 mm Durchmesser (ausschließlich 4H Material)

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
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